當(dāng)前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > > EQE/光子-電子轉(zhuǎn)換測(cè)試 > LSD4雷射掃描缺陷圖譜儀
簡(jiǎn)要描述：激光掃描缺陷成像儀是激光束感應(yīng)電流（LBIC）測(cè)試的升級(jí)版本。它利用波長(zhǎng)能量大于半導(dǎo)體帶隙的激光束照射半導(dǎo)體，產(chǎn)生電子空穴對(duì)。通過快速掃描樣品表面，獲得揭示內(nèi)部電流變化的圖像分布，從而分析各種缺陷分布。這有助于分析樣品制備的質(zhì)量并有助于工藝改進(jìn)。
產(chǎn)品型號(hào)：LSD4廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-04-02訪 問 量： 1306產(chǎn)品分類
Product Category相關(guān)文章
Related Articles詳細(xì)介紹
| 品牌 | Enlitech | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
| 測(cè)量模式 | 咨詢光焱科技專家 |
●掃描光生電流的分布
●掃描光電壓分布
●掃描開路電壓和短路電流的分布
●分析表面污染
●分析短路區(qū)域的 分布
●識(shí)別和分析微裂紋區(qū)域
●分析少數(shù)載子擴(kuò)散長(zhǎng)度的分布（選用功能）
| 項(xiàng)目 | 參數(shù)說明。 |
|---|---|
| 功能 | A。利用能量高于半導(dǎo)體帶隙的波長(zhǎng)激光束在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電子空穴對(duì)，探索耗盡區(qū)對(duì)內(nèi)部電流變化的影響，了解和分析各種缺陷分布，作為工藝改進(jìn)的方向。 b.能夠掃描樣品表面光生電流的分布。 C。能夠掃描樣品表面光電壓的分布。 d.能夠掃描開路電壓和短路電流的分布。 e.能夠分析表面污染。 F。能夠分析短路區(qū)域的分布。 G。能夠識(shí)別和分析微裂紋區(qū)域。 H。能夠分析少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的分布（可選）。 |
| 激勵(lì)源 | 405 ±10nm 激光 520 ±10nm 激光 635 ±10nm 激光 830 ±10nm 激光 |
| 掃描區(qū)域 | ≧100mm×100mm |
| 激光光斑尺寸 | 接近TEM00模式點(diǎn) |
| 測(cè)繪分辨率 | A。掃描分辨率 ≤ 50 µm b.掃描分辨率可通過軟件設(shè)置 |
| 測(cè)繪時(shí)間 | <4分鐘（100mm×100mm，分辨率50um） |
| 方面 | 60厘米*60厘米*100厘米 |
| 軟件 | A。 LBIC 3D 可視化 b． 2D 橫截面分析（電極縱橫比） c．光電流響應(yīng)分布分析（與長(zhǎng)波長(zhǎng)激光源結(jié)合） d．?dāng)?shù)據(jù)保存和導(dǎo)出功能 |
產(chǎn)品咨詢
微信掃一掃